Радиационное дефектообразование в бета-преобразователе на карбиде кремния

Аннотация

Рассматриваются подходы к моделированию дефектов в полупроводниковом материале с использованием компьютерных вычислений, в частности, в рамках приложений, реализующих теорию функционала плотности (DFT). Предложен подход к исследованию вакансионного механизма подвижности атомов легирующейпримеси на основании зависимости энергии связности от доли примеси. На примере кубической фазы карбида кремния 3C-SiC исследована термодинамическая стабильность полупроводника.