Подход к описанию заполнения электронами металла полупроводникового слоя фотокатода

Аннотация

Разработан подход, позволяющий описывать заполнение электронами металлической подложки предварительно обедненного полупроводникового слоя фотокатода. Полученыаналитические зависимости распределения концентрации электронов в полупроводниковом слое n(z, t), а также временные зависимости заряда последнего q(t). Найдены параметры аналитической модели, при которых зависимость q(t) соответствует спадающей части заряда полупроводникового слоя для численного моделирования.