Исследования глубинного профиля нативных оксидных слоев, покрывающих GaAs, имплантированный благородным газом, методом резерфордовского обратного рассеяния с ядерной реакцией

Аннотации

Аннотация

Образцы, использованные в исследовании, представляли собой полуизолирующие пластины GaAs. Благородный газбыл имплантирован с помощью ионного имплантера UNIMAS при энергии $100$ кэВ и флюенсе ионов $3 · 10^{15}$ см^-2. Метод спектроскопии резерфордовского обратного рассеяния с анализом ядерных реакций (RBS/NR) использовался для определения толщины и атомного состава элементов в образцах. Ядерная реакция $^{16}O(α, α)^{16}O$ демонстрирует упругий резонанс при энергии около $3,05$ МэВ. Этот резонанс предоставляет полезный метод для расширения методик RBS с целью исследования концентрации кислорода, присутствующего на поверхности образцов. Вывод подхода RBS/NR указывает на то, что поверхность образцов GaAs содержит слой, обогащенный кислородом. Также было показано, что толщина слоя собственного оксида зависит от типа ионов.