Изучение температурной стабильности высоковольтного ЦАП AD5535 для питания кремневых фотоумножителей

Аннотация

В работе представлено изучение высоковольтного 32-канального ЦАП AD5535 для питания кремниевых фотоумножителей (Si-ФЭУ). За счет встроенных высоковольтных буферных усилителей выходное напряжение регулируется в диапазоне до 200 В, что обеспечивает применение для широкого класса Si-ФЭУ, в том числе для их последовательного включения.
Существенный выходной ток 500 мкА/канал позволяет запитывать матрицы и сборки Si-ФЭУ. В документации производителя указана существенная температурная зависимость ~200 ppm/^oC, что ограничивает применение данного ЦАП для питания Si-ФЭУ. В работе продемонстрирована высокая стабильность от температуры данного чипа, но, поскольку, это не гарантируется производителем был разработан экспресс-метод поканального измерения температурной зависимости для массового применения ЦАП AD5535.