Исследование чувствительности ХОГ алмазных детекторов с помощью синхротронного мэппинга микропучком

Аннотации

Авторы

  • М. А. Е. Абдель-Рахман Факультет ядерной инженерии Военно-технического колледжа, Каир, Египет; Физический факультет Суррейского университета, Гилфорд, Суррей, Великобритания
  • В. Р. Альхарби Физический факультет Университета Джидды, Джидда, Саудовская Аравия
  • М. И. М. Мохсен Факультет ядерной инженерии Военно-технического колледжа, Каир, Египет
  • А. Абдельгафар Галахом Высший технологический институт, Рамадан, Египет
  • А. Эль-Тахер Физический факультет, Факультет естественных наук, Университет Аль-Азхар, Асьют, Египет
  • Н. Тартони Кампус науки и инноваций в Харвелле, Оксфордшир, Великобритания
  • А. Лохстрох Физический факультет Суррейского университета, Гилфорд, Суррей, Великобритания

Аннотация

Выполнено картирование чувствительности с использованием источника сфокусированного рентгеновского микропучка на трех изготовленных образцах (VS-Pt, HPS-Pt и HPS-Al/Pt). Образец VS-Pt был выбран из-за его особенностей, таких как тонкие линии азота и площадь подложки. С целью выбора оптимальных условий для получения изображений линий азота  в образце с высоким разрешением был исследован источник сфокусированного рентгеновского излучения (синхротронный микролучевой прибор Diamond Light Source, DLS). Дополнительно было исследовано отображение чувствительности HPS-Pt и HPS-Al/Pt для изучения влияния размера пучка, смещения шага, полярности смещения, отжига и электрического контакта на однородность отклика по току, чтобы выбрать оптимальные условия для синхротронных измерений.

Карты с высоким пространственным разрешением были получены для образца VS-Pt со смещением микрошага на 10 мкм или менее. На фототок влияет полярность смещения; при отрицательном смещении ток выше, чем при положительном. Существуют области с высоким током, в которых требуется больше времени для восстановления до исходного значения.  Время медленно увеличивается вблизи линии азота, при этом время стабилизации увеличивается со смещением. Для HPS-Al/Pt с увеличением смещения однородность отклика по току не улучшается. При различных отрицательных смещениях HPS-Al/Pt демонстрирует высокий темновой ток, нестабильные сигналы и очень низкий фототок. Для HPS-Pt при смещении +50 и −50 В токовая характеристика однородна, становясь более однородной при 100 Ви улучшаясь при увеличении смещения до +200 В, что делает его наиболее подходящим выбором для синхротронных измерений.

Опубликован

2025-10-08

Выпуск

Раздел

Физика элементарных частиц и атомного ядра. Эксперимент

Как цитировать

Исследование чувствительности ХОГ алмазных детекторов с помощью синхротронного мэппинга микропучком: Аннотации. (2025). Письма в ЭЧАЯ, 22(4). https://pepan.jinr.ru/index.php/PepanLetters/article/view/1945