Учет влияния подложки в первопринципных расчетах комбинационного рассеяния в монослое MoS2 на кварце

Аннотация

В рамках DFT изучается комбинационное рассеяние (КР) в монослое MoS₂ на кварцевой подложке. Рассматривается несколько типов интерфейса MoS₂/SiO₂, которые могут реализовываться на практике. Первый тип интерфейса соответствует случаю «плотной» поверхности SiO₂. Далее рассматриваются интерфейсы с различными дефектами и шероховатостями на поверхности кварца, а также интерфейс при наличии химических связей S-O. Расчеты показывают, что в случае ван-дер-ваальсова взаимодействия подложка слабо влияет на КР в MoS₂, за исключением некоторых случаев с ярко выраженными дефектами поверхности на SiO₂. Влияние подложки при наличии химических связей S-O проявляется гораздо сильнее, приводя к заметному расщеплению и смещению Е и А пиков КР в монослое MoS₂.