Исследования глубинного профиля нативных оксидных слоев, покрывающих GaAs, имплантированный благородным газом, методом резерфордовского обратного рассеяния с ядерной реакцией: Аннотации. Письма в ЭЧАЯ [Internet]. 2026 Oct. 30 [cited 2026 Nov. 12];23(5). Available from: https://pepan.jinr.ru/index.php/PepanLetters/article/view/2592