“Исследования глубинного профиля нативных оксидных слоев, покрывающих GaAs, имплантированный благородным газом, методом резерфордовского обратного рассеяния с ядерной реакцией: Аннотации”. Письма в ЭЧАЯ 23, no. 5 (October 30, 2026). Accessed November 12, 2026. https://pepan.jinr.ru/index.php/PepanLetters/article/view/2592.