“Исследования глубинного профиля нативных оксидных слоев, покрывающих GaAs, имплантированный благородным газом, методом резерфордовского обратного рассеяния с ядерной реакцией: Аннотации”. Письма в ЭЧАЯ, vol. 23, no. 5, Oct. 2026, https://pepan.jinr.ru/index.php/PepanLetters/article/view/2592.