“Исследования глубинного профиля нативных оксидных слоев, покрывающих GaAs, имплантированный благородным газом, методом резерфордовского обратного рассеяния с ядерной реакцией: Аннотации” (2026) Письма в ЭЧАЯ, 23(5). Available at: https://pepan.jinr.ru/index.php/PepanLetters/article/view/2592 (Accessed: 12 November 2026).