“Исследования глубинного профиля нативных оксидных слоев, покрывающих GaAs, имплантированный благородным газом, методом резерфордовского обратного рассеяния с ядерной реакцией: Аннотации”. 2026. Письма в ЭЧАЯ 23 (5). https://pepan.jinr.ru/index.php/PepanLetters/article/view/2592.