Исследования глубинного профиля нативных оксидных слоев, покрывающих GaAs, имплантированный благородным газом, методом резерфордовского обратного рассеяния с ядерной реакцией: Аннотации. (2026). Письма в ЭЧАЯ, 23(5). https://pepan.jinr.ru/index.php/PepanLetters/article/view/2592