2026. Исследования глубинного профиля нативных оксидных слоев, покрывающих GaAs, имплантированный благородным газом, методом резерфордовского обратного рассеяния с ядерной реакцией: Аннотации. Письма в ЭЧАЯ. 23, 5 (Oct. 2026).