(untitled) (Письма в ЭЧАЯ, 2026)
Представлен новый комбинированный метод in situ анализа электронных свойств гетероструктур с SiC/Si с субмикронным разрешением (30 нм), сочетающий сканирующую зондовую микроскопию Кельвина (KPFM) и сканирующую туннельную спектроскопию (СТС). Впервые экспериментально обнаружен пороговый эффект активации ОПЗ с характерным временем задержки 2,3± 0,5 с и неэкспоненциальной релаксацией работы выхода (τ=35± 2 с, β=0,65±0,05), что указывает на распределение граничных состояний по энергии с характерной энергией 0,12 эВ. Установлена количественная корреляция между морфологией границы раздела и пространственным распределением плотности состояний (D_it), показавшая 5-кратное превышение D_it в областях дислокаций (>5 · 10^12 см^-2 · эВ^-1) по сравнению с атомарно гладкими террасами. Разработана физическая модель, связывающая градиент D_it(x) с нелинейным изгибом зон в ОПЗ. Предложены конкретные инженерные решения для радиационно-стойких преобразователей: оптимизация геометрии контактов (снижение краевых полей на 30%), пассивация Al_2O_3 (снижение барьера Шоттки на 40%) и легирование для управления временем релаксации. Результаты позволяют целенаправленно улучшать КПД бета-вольтаических элементов и чувствительность детекторов ионизирующего излучения.