(untitled) (Письма в ЭЧАЯ, 2024)
В статье представлены результаты исследования дефектов синтетических монокристаллических алмазных пластин после облучения электронами. Приведены данные о распределении концентрации дефектов в ИК-диапазоне. Помимо ИК-спектроскопии, для изучения дефектов в алмазах была использована позитронная аннигиляционная спектроскопия (ПАС). Показано, что ПАС с использованием монохроматического пучка позитронов можно использовать как метод неразрушающего контроля распределения вакансий по глубине алмазной пластины.